Modélisation compacte d'une mémoire non-volatile ? nanotube de carbone

Afin de permettre de développer un modčle de mémoire non-volatile basée sur le transistor ŕ nanotube de carbone ŕ commande optique qui est utilisée dans des circuits électroniques neuromorphiques, il est nécessaire de comprendre les physiques électroniques et optoélectroniques des nanotubes de carbone, en particulier l'origine de l'effet mémoire que présente ces transistors. C'est dans ce contexte général que cette thčse s'intčgre. Le travail est mené sur trois plans: i) Caractériser électriquement et optoélectroniquement des structures de test des CNTFETs et des OG-CNTFETs. ii) Développer un modčle compact pour les contacts Schottky dans les transistors ŕ nanotube de carbone de la façon auto-cohérente basé sur le diamčtre et la nature du métal d'électrode en utilisant la méthode de la barričre effective avec les paramčtres nécessaires calibrés. iii) Modéliser l'OG-CNTFET selon les régimes de fonctionnement, lecture, écriture, effacement ou programmation pour application ŕ une mémoire non-volatile en intégrant le mécanisme de piégeage et dépiégeage ŕ l'interface polymčre/oxyde.