Nu se pretează? Nu contează! La noi puteți returna bunurile în 30 de zile
Cu un voucher cadou nu veți da greș. În schimbul voucherului, destinatarul își poate alege orice din oferta noastră.
30 de zile pentru retur bunuri
This book presents the results of structural studies of InGaN, AlGaN, InAlN, and rare-earth doped (Tm, Er and Eu) GaN by Extended X-ray Absorption Fine Structure; optical characterisation of RE-doped GaN by cathodoluminescence, photoluminescence and photoluminescence excitation spectroscopies. First attempts to identify the lattice location of emitting centres in nitride semiconductors using X-ray Excited Optical Luminescence for EXAFS detection are also presented.