Transport gratuit la punctele de livrare Pick Up peste 299 lei
Packeta 15 lei
Easybox 20 lei
Cargus 25 lei
FAN 25 lei
Cum să cumpăr
Ajutor
Livrare
Packeta 15 lei
Easybox 20 lei
Cargus 25 lei
FAN 25 lei
Transport gratuit la punctele de livrare Pick Up peste 299 lei
Consilier de cumpărături
Suntem aici pentru tine!
031 22 95 182
Contul meu
Faceți parte dintr-o comunitate de iubitori de cărți din întreaga lume și beneficiați de o mulțime de avantaje
Creați-vă un cont gratuit
▸
Gol :-(
0
Reliability of High Mobility SiGe Channel MOSFETs for Future CMOS Applications
Limba
engleză
engleză
Carte
Copertă tare
Due to the ever increasing electric fields in scaled CMOS devices, reliability is becoming a showsto...
Descrierea completă
Codul Libristo: 02017347
?
318 b
318 b
641
lei
În depozitul extern în cantități mici
Expediem în 12-17 zile
30 de zile pentru retur bunuri
Ar putea de asemenea, să te intereseze
/
Carte broșată
194
lei
Due to the ever increasing electric fields in scaled CMOS devices, reliability is becoming a showstopper for further scaled technology nodes. Although several groups have already demonstrated functional Si channel devices with aggressively scaled Equivalent Oxide Thickness (EOT) down to 5
Informații despre carte
Titlu complet
Reliability of High Mobility SiGe Channel MOSFETs for Future CMOS Applications
Autor
Jacopo Franco, Ben Kaczer, Guido Groeseneken
Limba
engleză
engleză
Legare
Carte - Copertă tare
Data publicării
2013
Număr pagini
187
EAN
9789400776623
ISBN
9400776624
Codul Libristo
02017347
Editura
Springer
Greutatea
483
Dimensiuni
155 x 235 x 19
