Nu se pretează? Nu contează! La noi puteți returna bunurile în 30 de zile
Cu un voucher cadou nu veți da greș. În schimbul voucherului, destinatarul își poate alege orice din oferta noastră.
30 de zile pentru retur bunuri
V monografii rassmotreny novye svojstva nanostrukturirovannyh materialov jelektroniki: shirokozonnye poluprovodniki tipa A2V6, SiC i tverdye rastvory na osnove karbida kremniya. V rabote analizirujutsya metody opisaniya novyh jeffektov: gigantskoe usilenie (na dva poryadka) teplovogo soprotivleniya jekzokeramiki i dijelektricheskoj pronicaemosti tverdyh rastvorov karbida kremniya; kvantovyj interferencionnyj jeffekt v segnetojelektrikah; razmernye jeffekty. Predlozhena model' vysoty bar'era Shottki v diodah na osnove SiC i rasschitany ih vol'-tampernye harakteristiki. Monografiya soderzhit spravochnyj material po svojstvam ukazannyh sistem i adresovana studentam, prepodavatelyam, aspirantam, inzheneram-tehnologam v oblasti mikro,-nanojelektroniki i modelirovaniya svojstv nanostrukturirovannyh materialov.