Livrare gratuită pentru comenzile peste 349,00 lei.

Verifică starea comenzii

Faceți parte dintr-o comunitate de iubitori de cărți din întreaga lume și beneficiați de o mulțime de avantaje Creați-vă un cont gratuit

Transport gratuit la punctele de livrare Pick Up peste 349.00 lei

Packeta 15.00 lei Serviciul de curierat Cargus 28.00 lei Easybox 20.00 lei FAN Courier 20.00 lei Punct FAN 16.00 lei Punct DPD 17.00 lei Curier DPD 25.00 lei

Contact

Cum să cumpăr

Ajutor

Contul meu

▸ Gol :-(

Livrare gratuită pentru comenzile peste 349,00 lei.

Radiation Defect Engineering

Name: Radiation Defect Engineering
Brand: World Scientific Publishing Co Pte Ltd
SKU: 05068174
Price: 717.38 RON
Availability: InStock
Author: Kozlovski Vitali
ISBN: 9789812565211

Kozlovski Vitali

Abrosimova Vera

Limba

engleză

Carte Copertă tare

Codul Libristo: 05068174

Editura World Scientific Publishing Co Pte Ltd, noiembrie 2005

The increasing complexity of problems in semiconductor electronics and optoelectronics has exposed t... Descrierea completă

Codul Libristo: 05068174

331 b

717.38 lei

șansă 50% Şanse de a obține acest titlu Când primesc cărțile?

Până la 30 de zile pentru returnare

Clienții au cumpărat de asemenea

Souvenirs de jeunesse 1939 - 1945 Paul Kalt

Carte broșată

35.27 lei

TINTIN EN CAPVERDIEN COKE EN STOCK Hergé

Copertă tare

86.06 lei

L'Anthroponymie sur le territoire normand (Lyonnaise seconde - province ecclésiastique de Rouen) Lajoye

Carte broșată

131.33 lei

Sozialwissenschaftliche Erklarung der Judenvernichtung Norbert Bertelsbeck

Adobe ePub DRM

5.61 lei

Bologna tra portici, torri e canali Beatrice Borghi

Carte broșată

168.18 lei

Raquel / La fosca melangia de Robinson Crusoe Margarit

Carte broșată

42.24 lei

Sans elle Cillis

Carte broșată

150.38 lei

Algoritmi David Harel

Carte broșată

291.29 lei

Oído interno Jose Kozer

Carte broșată

132.58 lei

Vie Et Mouvement Discours Du 3 Novembre 1887 Rentree de l'Ecole de Medecine Navale de Rochefort Bodet-D-M

Carte broșată

65.24 lei

The increasing complexity of problems in semiconductor electronics and optoelectronics has exposed the insufficient potential of the technological doping processes currently used. One of the most promising techniques, which this book explores, is radiation doping: the intentional, directional modification of the properties of semiconductors under the action of various types of radiation. The authors consider the basic principles of proton interactions with single crystal semiconductors on the basis of both theory as well as practical results. All types of proton modifications of the materials known presently are analyzed in detail and exciting new fields of research in this direction are discussed.