Contact
Cum să cumpăr
Livrare
Consilier de cumpărături
Radiation Defect Engineering
engleză
331 b
30 de zile pentru retur bunuri
Clienții au cumpărat de asemenea
/
Carte broșată
75.47
lei
/
Adobe ePub DRM
5.63
lei
The increasing complexity of problems in semiconductor electronics and optoelectronics has exposed the insufficient potential of the technological doping processes currently used. One of the most promising techniques, which this book explores, is radiation doping: the intentional, directional modification of the properties of semiconductors under the action of various types of radiation. The authors consider the basic principles of proton interactions with single crystal semiconductors on the basis of both theory as well as practical results. All types of proton modifications of the materials known presently are analyzed in detail and exciting new fields of research in this direction are discussed.
Informații despre carte
engleză
Dăruiește această carte chiar astăzi
Este foarte ușor
1 Adaugă cartea în coș și selectează Livrează ca un cadou 2 Îți vom trimite un voucher în schimb 3 Cartea va ajunge direct la adresa destinataruluiAr putea de asemenea, să te intereseze
/
Carte broșată
43.42
lei
/
Copertă tare
161.48
lei