Cum să cumpăr
Livrare
Consilier de cumpărături
Proprietes Optiques Et Electroniques de Gaasn, Gaassb Et Gaasnsb
franceză
231 b
30 de zile pentru retur bunuri
L'objectif de ce travail est la détermination des indices complexes, des fonctions diélectriques inconnues ainsi que l'analyse de l'effet d'incorporation des atomes d'azote et d'antimoine dans les couches minces de GaAsN, GaAsSb et GaAsSbN, élaborées par la technique d'épitaxie par jets moléculaires (MBE), en utilisant la technique d'ellipsométrie spectroscopique. Ces alliages semiconducteurs, basés sur la substitution de l'arsenic dans GaAs avec de l'azote et/ou avec l'antimoine, ayant une énergie de bande interdite plus faible que celle du GaAs, et des propriétés optiques qui dépendent fortement de la composition d'alliage ainsi que de l'état de contrainte, présentent un grand intéręt dans le domaine de l'optoélectronique. L'analyse des résultats ellipsométriques par l'utilisation du modčle standard des points critiques (SCP) et du modčle de la fonction diélectrique d'Adachi (MDF) pour la paramétrisation de la fonction diélectrique de l'alliage nous ont permis de déterminer avec une grande précision les paramčtres des points critiques dans les différentes directions cristallographiques.
Informații despre carte
franceză
