Contact
Cum să cumpăr
Livrare
Consilier de cumpărături
Nitrogen Containing III-V Semiconductor Surfaces and Nanostructures
Studied by Scanning Tunneling Microscopy and Spectroscopy
engleză
159 b
Până la 30 de zile pentru returnare
Clienții au cumpărat de asemenea
/
Copertă tare
36.98
lei
/
Carte broșată
59.13
lei
/
Audio CD
53.42
lei
/
Carte broșată
269.74
lei
/
Audio CD
43.59
lei
Different nitrogen containing III-V semiconductor surfaces and nanostructures are studied using scanning tunneling microscopy and spectroscopy. In diluted GaAsN layers single nitrogen atoms can be identified. The measured density of states shows that nitrogen impurities lead to a splitting of the GaAs conduction band. The incorporation of nitrogen with a nominal concentration of 9% into InAs/GaAs QDs leads to a strong dissolution and the formation of extended spherical nitrogen-free InGaAs QDs with a low indium content. Furthermore, for the GaN(1-100) cleavage surface of epitaxially grown GaN substrates it is found that both the nitrogen and gallium derived intrinsic dangling bond surface states are outside of the fundamental bulk band gap. The observed Fermi level pinning at 1.0 eV below the conduction band edge is attributed to the high step density, but not to intrinsic surface states. In GaN wafers dislocations are found to form localized bunches of entangled nonparallel dislocation lines. The charge and the Burgers vector of these dislocations are identified. Finally, an epitaxially grown silicon doping modulation structure is imaged.
Informații despre carte
engleză
Dăruiește această carte chiar astăzi
Este foarte ușor
1 Adaugă cartea în coș și selectează Livrează ca un cadou 2 Îți vom trimite un voucher în schimb 3 Cartea va ajunge direct la adresa destinataruluiAr putea de asemenea, să te intereseze
/
Copertă tare
191.73
lei
/
Copertă tare
270.45
lei
/
Copertă tare
1 723.23
lei
Bună ziua! Sunt Libroamiko, consilierul dumneavoastră de cărți.
Cu ce vă pot ajuta?