Contact
Cum să cumpăr
Livrare
Consilier de cumpărături
Modelling of basic parameters for non-conventional MOSFETs
engleză
100 b
Până la 30 de zile pentru returnare
Clienții au cumpărat de asemenea
/
Carte broșată
246.69
lei
/
Carte broșată
78.76
lei
/
Carte
544.20
lei
/
Carte broșată
71.80
lei
In this book, the channel engineering and the gate engineering techniques are combined to form novel device structures proposed as Single-halo Dual Material Gate(SHDMG) and Double-halo Dual Material gate(DHDMG) MOSFETs. Advanced MOSFETs are non-uniformly doped as a result of complex process flow. Therefore, one of the key factors to model the characteristic parameters accurately is to model its non uniform doping profile. The book also presents an analytical sub threshold surface potential, threshold voltage, drift-diffusion theory based drain current and transconductance model for linear and Gaussian profile based SHDMG and DHDMG n-MOSFETs operating up to 40nm regime. A quasi-Fermi potential based analytical sub threshold drain current model for linear as well as Gaussian profile based SHDMG and DHDMG MOS transistor, incorporating the fringing fields at the two ends of the device is also proposed.
Informații despre carte
engleză
Dăruiește această carte chiar astăzi
Este foarte ușor
1 Adaugă cartea în coș și selectează Livrează ca un cadou 2 Îți vom trimite un voucher în schimb 3 Cartea va ajunge direct la adresa destinataruluiAr putea de asemenea, să te intereseze
/
Copertă tare
1 428.22
lei
/
Carte broșată
42.18
lei
