Contact
Cum să cumpăr
Livrare
Consilier de cumpărături
Interface properties of amorphous/crystalline silicon heterojunctions
germană
205 b
Până la 30 de zile pentru returnare
Clienții au cumpărat de asemenea
/
Carte broșată
115.95
lei
/
Carte
354.85
lei
/
Carte broșată
109.69
lei
Solar cells based on monocrystalline silicon (c-Si) can potentially achieve high sunlight energy conversion efficiencies and thus could reach grid parity despite the high cost of c-Si. The efficiency of standard c-Si solar cells featuring diffused emitters and aluminum back surface fields (BSF) is limited by interface recombination. Alternatively the growth of intrinsic/doped amorphous silicon (a- Si:H) layer stacks on c-Si effectively passivates the c-Si surface and simultaneously forms the emitter and BSF. Such Si heterojunction (HJ) solar cells can use thin c-Si wafers, benefit from low production cost of a-Si:H layers and enable the highest efficiencies. The focus of this work is the study of interfaces in a-Si:H/c-Si heterostructures, particularly the electronic quality of the a-Si:H/c-Si heterointerface and its effect on the subsequent a- Si:H/c-Si HJ solar cell fabrication. Interface recombination modeling by considering the amphoteric nature of Si dangling bonds is in excellent agreement with measurements, and provides insight into the microscopic passivation mechanisms.
Informații despre carte
germană
Dăruiește această carte chiar astăzi
Este foarte ușor
1 Adaugă cartea în coș și selectează Livrează ca un cadou 2 Îți vom trimite un voucher în schimb 3 Cartea va ajunge direct la adresa destinataruluiAr putea de asemenea, să te intereseze
/
Carte broșată
127.21
lei
/
Carte broșată
51.71
lei
/
Copertă tare
540.05
lei
/
Copertă tare
164.12
lei
Bună ziua! Sunt Libroamiko, consilierul dumneavoastră de cărți.
Cu ce vă pot ajuta?