Contact
Cum să cumpăr
Livrare
Consilier de cumpărături
engleză
263 b
30 de zile pentru retur bunuri
Clienții au cumpărat de asemenea
This monograph is intended for scientists and TCAD engineers who are interested in physics-based simulation of Si and SiGe devices. The common theoretical background of the drift-diffusion, hydrodynamic, and Monte-Carlo models and their synergy are discussed and it is shown how these models form a consistent hierarchy of simulation tools. The basis of this hierarchy is the full-band Monte-Carlo device model which is discussed in detail, including its numerical and stochastic properties. The drift-diffusion and hydrodynamic models for large-signal, small-signal, and noise analysis are derived from the Boltzmann transport equation in such a way that all transport and noise parameters can be obtained by Monte-Carlo simulations. With this hierarchy of simulation tools the device characteristics of strained Si MOSFETs and SiGe HBTs are analysed and the accuracy of the momentum-based models is assessed by comparison with the Monte-Carlo device simulator.
Informații despre carte
engleză
Categorii
Dăruiește această carte chiar astăzi
Este foarte ușor
1 Adaugă cartea în coș și selectează Livrează ca un cadou 2 Îți vom trimite un voucher în schimb 3 Cartea va ajunge direct la adresa destinataruluiAr putea de asemenea, să te intereseze
/
Carte broșată
602.40
lei
/
Carte broșată
66.62
lei
/
Carte broșată
47.75
lei
/
Carte broșată
145.04
lei
/
Carte broșată
101.45
lei
