Transport gratuit la punctele de livrare Pick Up peste 299 lei
Packeta 15 lei
Easybox 20 lei
Cargus 25 lei
FAN 25 lei
Cum să cumpăr
Ajutor
Livrare
Packeta 15 lei
Easybox 20 lei
Cargus 25 lei
FAN 25 lei
Transport gratuit la punctele de livrare Pick Up peste 299 lei
Consilier de cumpărături
Suntem aici pentru tine!
031 22 95 182
Contul meu
Faceți parte dintr-o comunitate de iubitori de cărți din întreaga lume și beneficiați de o mulțime de avantaje
Creați-vă un cont gratuit
▸
Gol :-(
0
Defects in Boron Ion Implanted Silicon
Limba
engleză
engleză
Carte
Carte broșată
The Office of Scientific & Technical Information (OSTI), is a part of the U.S. Department of Energy...
Descrierea completă
Codul Libristo: 08281630
?
157 b
157 b
317
lei
În depozitul extern
Expediem în 14-18 zile
30 de zile pentru retur bunuri
Ar putea de asemenea, să te intereseze
/
Carte broșată
203
lei
/
Carte broșată
255
lei
The Office of Scientific & Technical Information (OSTI), is a part of the U.S. Department of Energy (DOE) that houses research and development results from projects funded by the DOE. The information is generally an article, technical document, conference paper or dissertation. This is one of those publications.
Informații despre carte
Titlu complet
Defects in Boron Ion Implanted Silicon
Autor
W K Wu
Limba
engleză
engleză
Legare
Carte - Carte broșată
Data publicării
2013
Număr pagini
120
EAN
9781288823055
ISBN
9781288823055
Codul Libristo
08281630
Editura
Biblioscholar
Greutatea
227
Dimensiuni
189 x 246 x 6
Categorii
