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Avec l'émergence d'applications millimétriques (radar automobile ou le WHDMI...), la fiabilité est devenue un enjeu extręmement important pour l'industrie. Dans un émetteur/récepteur radio, les problčmes de fiabilité concernent principalement les transistors MOS intégrés dans les amplificateurs de puissance, compte-tenu des niveaux relativement élevé des puissances. Ces composants sont susceptibles de se détériorer fortement par le phénomčne de l'injection de porteurs chauds impactant lourdement les performances des amplificateurs. Ce travail concerne la conception et l'étude de la fiabilité de ces circuits en technologies CMOS avancées. Le livre est articulé autour de quatre chapitres. Les deux premiers chapitres concernent l'étude, la conception, la modélisation et la caractérisation des éléments actifs et passifs intégrés sur silicium et utilisés pour réaliser des amplificateurs de puissance aux fréquences millimétriques. Le troisičme chapitre décrit les trois amplificateurs de puissance conçus et réalisés pour les tests de fiabilité. Le dernier chapitre propose une étude complčte de la fiabilité de ces circuits jusqu'au calcul de leur temps de vie.