Strukturnye I Fizicheskie Svoystva Plenok Sicx I Snox

V rabote provedeno issledovanie osobennostey protsessa kristallizatsii, mikrostruktury i fazovogo sostava sloev SiCx (x = 0,03 1,4), sintezirovannykh implantatsiey ionov ugleroda s energiyami 40, 20, 10, 5 i 3 keV v kremniy (nauchnyy konsul'tant - professor Nusupov K.Kh.); a takzhe kompleksnoe issledovanie opticheskikh i elektrofizicheskikh svoystv, mikrostruktury i fazovogo sostava tonkikh plenok SnOx, sintezirovannykh metodami zol'-gel' tekhnologii, magnetronnogo reaktivnogo raspyleniya i ionno-luchevogo raspyleniya, modifitsirovannykh termicheskoy i plazmennoy obrabotkami. V shirokozonnykh poluprovodnikovykh plenkakh SiC i SnO2, obladayushchikh vysokoy tverdost'yu, khimicheskoy stoykost'yu, vysokoy temperaturoy plavleniya i sposobnykh rabotat' pri povyshennykh temperaturakh, kharakternym svoystvom i obshchey problemoy yavlyaetsya segregatsiya odnogo iz komponentov: S v sloyakh SiCx i Sn v sloyakh SnOx. Obrabotka v plazme tleyushchego razryada plenok SiCx pered otzhigom pozvolila sushchestvenno uluchshit' kristallicheskuyu strukturu plenok za schet raspada prochnykh uglerodnykh klasterov, a obrabotka v plazme plenok SnOx - znachitel'no uvelichit' ikh gazochuvstvitel'nost' i prozrachnost' za schet okisleniya i klasterizatsii v edinom protsesse.